C2GR16-氣相沉積爐

產(chǎn)品簡介

C2GR16-氣相沉積爐熱誘導的化學氣相滲透(英語:chemical vaporinfiltration ,CV)是一個與CVD有關的技術，以在基體材料滲入多孔或纖維預成型件以制備由復合材料制成的部件具有改善的機械性能，耐腐蝕性，耐熱沖擊性和低殘余應力。

產(chǎn)品型號：

更新時間：2024-11-09

廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家

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產(chǎn)品分類

PRODUCT CLASSIFICATION

實驗真空爐

S2放電等離子燒結(jié)系統(tǒng) P2熱壓爐 V2真空爐 G2氣壓爐 H2氫氣爐 C2氣相沉積爐 D2擴散焊爐 R2回轉(zhuǎn)爐

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一、C2GR16-氣相沉積爐基本原理與特點

1.基本原理：
熱誘導化學氣相沉積(英語:chemical vapor deposition ,CVD)是用于各種電介質(zhì),半導體和金屬材料的保護涂層的沉積的有力方式，無論是單晶，多晶，無定形或外延狀態(tài)上或大或小的形態(tài)。典型的涂層材料包括熱解碳，碳化硅，氮化硼。通過使用合成前體，涂層非常純凈并目滿足半導體工業(yè)的典型要求，根據(jù)工藝參數(shù)，可以有多種層厚度，從單個或幾個原子層到厚度從10納米到數(shù)百微米的固體保護層或功能層，以及厚度達100微米的單片部件，甚至高達數(shù)毫米。

2.設備特點：
（1）采用臥式、側(cè)開門結(jié)構(gòu)，裝、卸料精度高，操作方便；
（2）采用先進的控制技術，能精密控制MTS的流量和壓力，爐膛內(nèi)沉積氣流穩(wěn)定，壓力波動范圍小；
（3）溫度均勻性好，平均溫度均勻性為±5℃；
（4）采用多通道沉積氣路，流場均勻，無沉積死角，沉積效果好；
（5）全封閉沉積室，密封效果好，抗污染能力強；
（6）安全性能好，采用HMI+PLC+PID程序控制，安全可靠；
（7）對沉積產(chǎn)生的高腐蝕性尾氣、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點粘性產(chǎn)物能進行有效處理；
（8）多級高效尾氣處理系統(tǒng)，環(huán)境友好，能高效收集焦油及副產(chǎn)物，易清理；
（9）采用設計防腐蝕真空機組，持續(xù)工作時間長，維修率極低。

二、C2GR16-氣相沉積爐主要技術參數(shù)：

1	編號	C2GR16
2	產(chǎn)品型號	VHCgr-20/20/30-1600
3	最高設計溫度（℃）	1600
4	加熱元件	等靜壓石墨
5	加熱功率（kW）	45
6	冷態(tài)極限真空度（Pa）	6.7x10-3Pa（空爐、冷態(tài)、經(jīng)凈化）
7	測溫元件	鎢錸熱電偶
8	升溫速率	1~20℃/min
9	溫度均勻性	±5℃（5點測溫，恒溫區(qū)1000℃保溫1h后檢測）
10	爐膛尺寸（mm）	200x200x300（WxHxD）
11	可通入氣氛	1路CH3SiCI3、1路氨氣、1路氫氣、1路氮氣
12	氣氛流量計	4路質(zhì)量流量計
13	設備外形尺寸（mm）	1425x1550x1850mm(LxWxH)